Samsung DDR5 DIMM 16GB UNB 5600 1Rx8, 1.1V
Модуль памяти DDR5 16GB от Samsung, модель M323R2GA3PB0-CWM, обладает тактовой частотой 5600 МГц, что обеспечивает высокую пропускную способность в 44800 Мб/с. Его латентность составляет CL46, а напряжение — 1.1 В. Этот модуль памяти предназначен для использования в компьютерах и других устройствах, обеспечивая надёжное и эффективное функционирование.
О товаре
Модуль памяти DDR5 16GB от Samsung, модель M323R2GA3PB0-CWM, обладает тактовой частотой 5600 МГц, что обеспечивает высокую пропускную способность в 44800 Мб/с. Его латентность составляет CL46, а напряжение — 1.1 В. Этот модуль памяти предназначен для использования в компьютерах и других устройствах, обеспечивая надёжное и эффективное функционирование.
Технические характеристики
- Габариты упаковки
- 1 × 30 × 140 мм
- Производитель
- Samsung Electronics
- Артикул производителя
- M323R2GA3PB0-CWM
- Категория
- Комплектующие для ПК > Оперативная память
- Страна происхождения
- CN
- Гарантия
- Гарантия дистрибьютора 12 мес. с даты отгрузки
- Вес в упаковке
- 0.1 кг
- Минимальное количество
- 1
- Единица измерения
- шт
- Форм-фактор памяти
- UDIMM
- Тип памяти
- DDR5
- Общий объем памяти
- 16 Гбайт
- Объем одного модуля
- 16 Гбайт
- Количество модулей в комплекте
- 1 шт.
- Частота
- 5600 МГц
- Пропускная способность
- PC5-44800
- Радиатор
- Нет
Поставка
Склад и срок поставки подтвердим в предложении.